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姜 鉉列(カン・ヒョンヨル)弁理士
学 歴
* 高麗大学物理学科卒業(早期/首席卒業)
* ソウル大学自然科学大学院物理学科卒業(理学修士)
経 歴
* 第42回弁理士試験合格
* 特許法人ムハン
・ 国内/外企業の国内特許出願、拒絶理由対応及び特許登録
・ 特許異議申請及び拒絶決定不服審判、特許無効審判
・ 国際特許出願
(アメリカ、日本、ヨーロッパ、中国、台湾等への海外特許/実用新案出願)
・ パテントマップ及び先行技術調査分析
・ 特許侵害可否及び特許の有効性可否に対する鑑定
* 三星電子研究員
・ 次世代メモリ(FRAM, MRAM, PRAM)工程開発業務
・ 強誘電体のChage storageのためのsensor工程開発
・ 拡張されたプレート電極を有する強誘電体
・ メモリ素子開発
・ 酸素浸透及びカプセル化障壁膜を備えた強誘電体memory素子開発
* ソウル大学 半導体共同研究所 研究員
・ Two-dimensional memory structure 研究
・ Chage trap memory研究
・ Ferroelectric storage mediaに対する物理的特性の研究
・ Spin polarized STMによる磁気検出
著書及び論文
∬ 「Noble interlayer dielectric technology for 0.25um ferroelectric capacitor integration in 32M FRAM」韓国半導体学術大会論文集 2003年
∬ 「Fabrication of nanomagnetic Co arrays in ordered porous alumina using a SiC mold and study of magnetic properties」学位論文 2002年