姜　鉉列（カン・ヒョンヨル）弁理士
学 歴 ＊ 高麗大学物理学科卒業（早期/首席卒業） ＊ ソウル大学自然科学大学院物理学科卒業（理学修士）
経 歴 ＊ 第42回弁理士試験合格 ＊ 特許法人ムハン 　　・ 国内/外企業の国内特許出願、拒絶理由対応及び特許登録 　　・ 特許異議申請及び拒絶決定不服審判、特許無効審判 　　・ 国際特許出願 　　（アメリカ、日本、ヨーロッパ、中国、台湾等への海外特許/実用新案出願) 　　・ パテントマップ及び先行技術調査分析 　　・ 特許侵害可否及び特許の有効性可否に対する鑑定 ＊ 三星電子研究員 　　・ 次世代メモリ（FRAM, MRAM, PRAM）工程開発業務 　　・ 強誘電体のChage storageのためのsensor工程開発 　　・ 拡張されたプレート電極を有する強誘電体 　　・ メモリ素子開発 　　・ 酸素浸透及びカプセル化障壁膜を備えた強誘電体memory素子開発 ＊ ソウル大学 半導体共同研究所 研究員 　　・ Two-dimensional memory structure 研究 　　・ Chage trap memory研究 　　・ Ferroelectric storage mediaに対する物理的特性の研究 　　・ Spin polarized STMによる磁気検出
著書及び論文 ∬ 「Noble interlayer dielectric technology for 0.25um ferroelectric capacitor integration in 32M FRAM」韓国半導体学術大会論文集 2003年 ∬ 「Fabrication of nanomagnetic Co arrays in ordered porous alumina using a SiC mold and study of magnetic properties」学位論文 2002年